Группа "Элемент" инвестирует в производство силовых транзисторов на нитриде галлия
Ведущий разработчик и изготовитель микроэлектроники в России, компания "Элемент", вкладывает 4,4 млрд рублей в создание силовых транзисторов на нитриде галлия. Этот проект будет запущен на базе НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже, одного из ведущих предприятий группы.
По словам представителя компании, внедрение этого проекта позволит расширить возможности НИИЭТ по сборке СВЧ- и силовых переключающих транзисторов на основе нитрида галлия с созданием первого в России полного цикла производства GaN-транзисторов.
Нитрид галлия (GaN) - передовой полупроводниковый материал, который позволяет создавать приборы, работающие на более высоких температурах и частотах, с более высокой плотностью мощности и энергоэффективностью, чем устройства на основе кремния. Из-за этих свойств GaN является привлекательным материалом для блоков питания, включая серверные, а также для применений в СВЧ-устройствах, включая модули усилителей радиосигнала в телекоммуникационном оборудовании.
Новое кристальное производство будет иметь проектную мощность в 5,5 тыс. пластин в год, эквивалентных 200-мм.
Проект реализуется с использованием выгодного финансирования через механизм кластерной инвестиционной платформы (КИП), под управлением Фонда развития промышленности. Выбор НИИЭТ для развертывания кристаллического производства обусловлен наличием у предприятия опыта в серийном производстве силовых приборов на нитриде галлия.
